- 620137, г. Екатеринбург, Сибирский тракт, д. 1, стр. 8б, оф. 436
Транзистор MJE13009 — это мощный биполярный транзистор структуры NPN, выполненный в универсальном корпусе ТО-220. Предназначен для работы в силовых ключевых и линейных режимах в преобразовательной технике. Благодаря высокому напряжению и току является стандартным решением для силовых каскадов импульсных блоков питания (ИБП), электронных балластов, контроллеров моторов и мощных стабилизаторов.
Технические характеристики и описание
| Параметр | Значение / Описание |
|---|---|
| Тип изделия | Мощный биполярный NPN транзистор (BJT — Bipolar Junction Transistor). |
| Модель | MJE13009 (стандартная промышленная серия). Аналоги: KSE13009, BUT11A, 2SC4242. |
| Структура | NPN. |
| Основное назначение | Ключевой элемент в силовых высоковольтных схемах: преобразователях напряжения, инверторах, системах управления мощной нагрузкой. |
| Корпус | ТО-220 (ТО-220АВ) — пластмассовый корпус с металлической площадкой-фланцем для крепления на радиатор. |
| Распиновка (вид на корпус со стороны выводов) | Стандартная для ТО-220: 1. БАЗА (Base) — центральный вывод. 2. КОЛЛЕКТОР (Collector) — вывод, соединенный с металлическим фланцем (креплением). 3. ЭМИТТЕР (Emitter) — вывод справа. Внимание! Всегда сверяйтесь с даташитом, возможны иные варианты. |
| Ключевые предельные параметры (abs. max.) | • Напряжение Коллектор-Эмиттер (V<sub>CEO</sub>): 400 В • Напряжение Коллектор-База (V<sub>CBO</sub>): 700 В • Ток коллектора (I<sub>C</sub>): 12 А (постоянный) • Ток коллектора импульсный (I<sub>CM</sub>): 24 А • Рассеиваемая мощность (P<sub>tot</sub>): 100 Вт — только при температуре кристалла T<sub>j</sub> = 25°C и установке на радиатор бесконечной площади! Реальная мощность с радиатором — 40-75 Вт. |
| Ключевые электрические параметры | • Коэффициент усиления по току (h<sub>FE</sub>): 8–40 (при I<sub>C</sub>=8A, V<sub>CE</sub>=5V) — невысокий, требует достаточного тока базы для насыщения. • Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер (V<sub>CE(sat)</sub>): ~1.0 В (макс.) при I<sub>C</sub>=8A, I<sub>B</sub>=1.6A. • Частота перехода (f<sub>T</sub>): 4 МГц (тип.) — низкая, для низко- и среднечастотных ключевых применений. |
| Температурный диапазон | • Температура перехода (T<sub>j</sub>): от -65°C до +150°C. • Температура хранения (T<sub>stg</sub>): от -65°C до +150°C. |
Заполните форму обратной связи, чтобы получить полный прайс-лист на нашу продукцию.
Наш менеджер свяжется с Вами в ближайшее время!
