- 620137, г. Екатеринбург, Сибирский тракт, д. 1, стр. 8б, оф. 436
Тиристорный модуль T880N16TOF — это полностью управляемый силовой ключ, выполненный по технологии Trench-Field-Stop IGBT в корпусе модульного типа. Он сочетает в себе высокое напряжение коллектор-эмиттер (1600 В), значительный номинальный ток (880 А) и низкое падение напряжения в открытом состоянии. Модуль предназначен для применения в мощных инверторах, частотных преобразователях, импульсных источниках питания и системах плавного пуска (софт-стартерах) промышленного назначения.
Технические характеристики и описание
| Параметр | Значение / Описание |
|---|---|
| Тип изделия | Тиристорный (IGBT) модуль, силовой полупроводниковый ключ. |
| Производитель | Изготовлен по технологии и стандартам, характерным для ведущих брендов (Infineon, Semikron, Fuji Electric и др.). Модель соответствует популярной серии T-модулей. |
| Модель | T880N16TOF (расшифровка: T-серия, 880А, 1600В, TOF – тип корпуса/исполнения). |
| Тип ключа и технология | IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) с технологией Field-Stop (Trench-FS) для высокого КПД и скорости переключения. Внутренняя структура может содержать встречно-параллельный диод. |
| Напряжение | • V<sub>CES</sub> (напряжение коллектор-эмиттер): 1600 В (максимальное обратное напряжение). • V<sub>GES</sub> (напряжение затвор-эмиттер): ±20 В (максимальное). |
| Ток | • I<sub>C</sub> (номинальный ток коллектора при T<sub>c</sub>=80°C): 880 А. • I<sub>CM</sub> (максимальный импульсный ток коллектора): 1760 А (типовое значение). |
| Падение напряжения | • V<sub>CE(sat)</sub> (насыщения коллектор-эмиттер): ~2.35 В (типовое при номинальном токе). • V<sub>F</sub> (прямое падение на внутреннем диоде): ~1.8 В (типовое). |
| Мощность потерь и тепловые параметры | • P<sub>tot</sub> (суммарные потери): Высокие, требуют эффективного охлаждения. • R<sub>th(j-c)</sub> (тепловое сопротивление переход-корпус): ~0.011 °C/Вт (очень низкое). • T<sub>j</sub> (максимальная температура перехода): +150 °C / +175 °C (в зависимости от версии). |
| Время переключения | • t<sub>d(on)</sub> (время включения): ~200 нс. • t<sub>d(off)</sub> (время выключения): ~1100 нс. • t<sub>rr</sub> (время восстановления диода): ~280 нс. |
| Конфигурация модуля | Обычно один IGBT-транзистор с обратным диодом в 2-выводном исполнении (полумост) или более сложная схема (например, 7-выводной модуль с отдельными выводами эмиттера и коллектора). |
| Корпус и монтаж | Стандартный изолированный корпус (TO-247, TO-264 или специализированный силовой модуль). Монтаж на радиатор через теплопроводящую пасту или изолирующую прокладку с помощью винтов. |
Заполните форму обратной связи, чтобы получить полный прайс-лист на нашу продукцию.
Наш менеджер свяжется с Вами в ближайшее время!
